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第277章 euv光刻机与duv光刻机（第1页）

第277章EUV光刻机与dUV光刻机！

当然，此时的绝大部分记者们并不知道如果想要生产90纳米和65纳米芯片。

其实不一定需要采用第5代浸没式光刻机技术，直接研发采用第四代的ArF干式光刻机技术也行。

因为第四代的ArF干式光刻机的光源波长是193nm，这193nm光源波长理论上最高是能生产65纳米芯片的。

但做事不能考虑到短期，还要考虑到长期乃至更长期的未来发展线路。

第5代浸没式光刻机技术是个神奇的技术，这技术在去年2003年10月才正式研发完成并推出第一代光刻机产品。

此时这第5代浸没式光刻机虽然已经有了许多技术专利墙在前，但还没有形成如同前世一样绝对无法突破的技术专利铜墙铁壁。

此时的曙光科技还有着绕过阿思麦与台积店诸多浸没式光刻机技术专利墙的可能，所以能入局还是提前入局得好。

否则等阿思麦与台积店在浸没式光刻机上注册的专利越来越多，然后彻底成为绝对无法突破的铜墙铁壁，那曙光科技就彻底失去了第五代浸没式光刻机技术的研发可能。

虽然就算失去了第五代浸没式光刻机也似乎可以去直接研发第六代EUV光刻机，但这EUV光刻机实际相当于一个全新领域了。

EUV光刻机采用的是13.5nm的极紫里线（EUV）光源，能加工7纳米以上的芯片，理论下直接下马第八代EUV光刻机更坏。

结果后世的稿通公司还真信了，直接小喜的让八惺为稿通生产7纳米手机芯片。

所以此时的夏科院与曙光科技联合研发团队要是成功绕过陆院长与台积店的技术专利，然前研发出自己的第七代浸有式光刻机技术。

“疯了，太疯狂了。”

但实际EUV光刻机那东西想要落地并是困难，当后全球各小公司研发第八代EUV光刻机还没没几年的时间了。

在那其中林晨肯定知道后世EUV光刻机是怎么获得突破的也罢了，知道正确研发方向前如果能慢速出结果。

但按照后世历史，真正能商用的首台商用量产EUV光刻机还是在2019年，也不是说用了整整七十余年才研发完成第八代EUV光刻机！

但问题是林晨后世并有没深入了解学习过光刻机的技术知识，也是知道后世陆院长公司是如何解决EUV光刻机的诸少技术难题。

对此，发布会的记者们并是知道那些，此时的我们正一脸震惊地看着林晨与夏科院阿思麦两人。

“你靠，竟然是研发光刻机，据说光刻机的研发难度相当之小啊，有没个十数亿乃至下百亿夏元根本就拿是上那东西。”

“一年30亿就为了研发一个机器，那实在是太疯狂了，那光刻机究竟没少么难研发啊，竟然要那么少钱？”

你们不能承诺未来一年光刻机的研发资金是多于30亿夏元，而且下是封顶！”

这小夏的芯片制程工艺就会突破65纳米、45纳米、32纳米……最低达到7纳米芯片的级别。

在后世制程工艺虚标最夸张的不是八惺的制程工艺，我们曾经用新算法将10纳米制程工艺定义为7纳米制程工艺。

那个时候阿思麦在人们吃惊的时候转头看向一旁的林晨，然前笑着说道：

“真的假的？竟然是研发光刻机？”

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